CELLESTA-i MD 金属暴露表面清洗及干燥
Tokyo Electron · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 评估金属暴露晶圆表面的湿法清洗及干燥，准备接合前的表面相容性讨论。
- 技术方式
- 单片化学清洗与湿法刻蚀结合腔体气氛及 IPA 供液控制，处理颗粒和干燥时的图形倒塌风险。
- 适用范围
- i MD 的产品资料列出 300 mm 硅晶圆及铜等金属暴露层；接合面叠层需另行确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界公开资料未提供本混合键合叠层的合格配方。原厂低损伤和图形倒塌控制说明，不能替代表面检测及接合试验。
评估准备BLNKK 建议整理暴露膜层、污染物、表面高低差、粗糙度及氧化容许值，并记录清洗至接合的等待条件。
向供应商确认确认药液对金属／介电层的相容性、干燥配置，以及颗粒、表面损失、水印和后续接合的验收方法。
- 公开依据
- 原厂 i MD 正文及比较表列出清洗、湿法刻蚀和 New IPA dry／SMD。
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相关工程问题
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资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。