PHEMOS-X 半导体漏电位置分析
Hamamatsu Photonics · 工程测量与特性分析
- 方案用途
- 漏电可复现后，需要缩小物理失效分析的取样范围。
- 技术方式
- PHEMOS-X 根据配置检测微弱发光或热信号，并与图案图像对位。
- 适用范围
- 用于半导体故障定位；应结合可复现的电气激励、光学可达性及合适的检测配置。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界检测能力随样品和配置变化；信号定位不直接测得 TSV 绝缘衬层深度，也不能证明失效根因。
评估准备BLNKK 建议准备漏电曲线、偏压条件、样品和金属层信息，规划良品对照及后续截面取样。
向供应商确认确认合适的检测器、光路、偏压及探针安排，以及是否需要激光或 TD 选配；用实样确认信号能否辨识。
- 公开依据
- 原厂页面和 2025 年 7 月型录说明发光、热锁相及选配激光／TD 成像方法。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。