Shin-Etsu MicroSi SIPR 7120 凸塊電鍍光阻
Shin-Etsu MicroSi · 材料參數與介面設計
- 方案用途
- 比較凸塊電鍍時的鍍模厚度與開口條件，釐清高度差異的製程因素。
- 技術方式
- SIPR 7120 系列為正型化學增幅 i-line 厚膜光阻，用於焊錫凸塊／銅柱的暫時電鍍鍍模。
- 適用範圍
- 可評估相容的凸塊電鍍製程；實際牌號、塗佈／曝光／顯影及去膜條件須逐項確認。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界光阻不量測或保證鍍後高度一致；系列介紹及示例不能直接當指定牌號或整片晶圓的製程保證。
評估準備BLNKK 建議整理目標高度／開口、光阻厚度、曝光顯影、鍍浴與去膜條件，對照鍍模輪廓、鍍後高度及殘留。
向供應商確認確認選用牌號、設備／鍍浴相容性、可用製程窗口，以及以代表性晶圓驗證輪廓與去膜的方法。
- 公開依據
- 官網具名 SIPR-7120；官方單頁資料表 Revision 2.3 說明系列用途，未標出版日期。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。