Shin-Etsu MicroSi SINR 感光介電材料
Shin-Etsu MicroSi · 材料參數與介面設計
- 方案用途
- 比較 RDL 永久介電層的材料與介面條件，補充熱循環開路風險評估。
- 技術方式
- SINR 感光矽氧烷經圖案化與固化形成永久介電／應力緩衝層；實際製程依牌號確認。
- 適用範圍
- 可評估重佈線疊層的材料選用；須取得所選牌號固化與介面資料並驗證實際試片。
- 限制與待確認事項
以下為 BLNKK 根據公開資料整理的評估建議，並非原廠保證或必備資料清單。
適用邊界歷史牌號／製程結果不能保證全部現行 SINR 性能，也不證明可避免熱循環開路或修復既有 RDL 裂紋。
評估準備BLNKK 建議整理牌號、固化履歷、模數／CTE、收縮、含濕與金屬附著資料，搭配疊層及電性對照。
向供應商確認確認現行牌號資料、圖案／固化條件、金屬相容性，以及代表性疊層的熱循環與介面驗證。
- 公開依據
- 現行目錄列出 SINR；SPIE 2006 論文研究具名 SINR 3150HSM 的重佈線／應力緩衝製程。
補充參考資料
聯絡供應商
查看公司聯絡資訊，透過官方管道詢問此方案。
相關工程問題
以下連結來自已建立的方案關係，可接續查看工程條件與評估準備。
資料由 BLNKK 依公開來源整理。公司資料不代表已有對應方案；方案適用性仍需依實際樣品與工程條件確認。