Chiplet 瞬态供电电压骤降（droop）
先分开封装脚位与芯粒端电源轨，再对准负载／电压瞬态及探头限制；去耦与供电网络比较需要实际边界，慢速阻值或通道错误不能代替电压骤降证据。
封装 PDN 电源轨、去耦与供电回路 · 工作负载快速切换与同步波形测量54 类工程问题从可观察的现象开始
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工程问题4
PDN／RF／Interposer／屏蔽
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封装电磁耦合与屏蔽评估
先对准封装源、受扰节点与操作频段，再用重复近场几何比较回流／屏蔽；近场读值是相对定位，不能验证发射限值或抗扰资格。
封装辐射源、受扰节点与屏蔽接地 · 电磁兼容性测量与操作RF 封装过渡结构与插入损耗
先确认单一无源 RF 路径、端口／频段与可用夹具模型，再比较实际转接及材料叠层；端口延伸不能代替损耗／失配去除，S21 也不能单独定位材料根本原因或邻线串扰。
RF 封装传输线、转接与端口 · 被动试片或封装 S参数验证中介层布线串扰与隔离
先辨认无源干扰线／被扰线、端口与终端，再用多端口耦合观察对照实际布线／回流模型；孤立 S21 或有源 PHY 链路失效不能代替NEXT／FEXT 及模型吻合。
中介层相邻干扰线／被扰线无源互连 · 布线设计及被动多端口验证已确认问题范围？再依六个技术方向探索
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