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技术问答BLNKK 编辑整理

SiC 晶锭多线切片后的厚度差和损伤层,如何比较切片工艺窗口?

这是封装之前的 SiC 衬底制备问题。先测量原始切片厚度与损伤层,再比较多线切片条件及后续研磨余量。

SiC 晶锭切片厚度差与损伤

问题背景与判读重点

BLNKK 公开资料整理

依据厚度图及损伤层证据,比较线切片工艺窗口与下游去除余量

  • 保留晶锭、切片顺序及材料批次;后段裸片切割请使用相邻问题。
  • 采用实际加工参数及设备允许范围;不能将宣传精度视为本批结果。
  • 厚度及 TTV 采用相同基准和取样;外观无裂纹不等于没有亚表面损伤。
待补充的技术问答
  • SiC 晶锭多线切片后的厚度差和损伤层,如何比较切片工艺窗口?

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