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SiC 晶锭切片厚度差与损伤

先确认 BLNKK 对问题的理解,再掌握优先路线、候选方案与仍缺的条件。

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3优先路线1候选方案1已整理来源

BLNKK 对问题的当前理解

请确认内容
对象与结构
上游 SiC 晶锭及切片后的原始晶片
发生阶段
晶锭多线切片及研磨、抛光前检查
可观察现象
原始切片厚度变化、TTV、切片裂纹及亚表面损伤层
工程决策
依据厚度图及损伤层证据,比较线切片工艺窗口与下游去除余量

优先评估路线

各路线用途不同,可搭配使用
01
原始切片几何及损伤层取证将厚度及 TTV 图与裂纹和损伤层测量配对,区分几何变化与加工损伤。
优先
02
多线切片及供液工艺窗口对照固定取样基准,逐项比较线材、张力、进给、摇摆及供液的加工窗口。
优先
03
下游研磨、抛光去除余量将损伤层深度与目标厚度配对,确认后续研磨及抛光是否有足够去除余量。
优先

目前候选方案

样品适用性仍待确认
查看全部1个候选方案
下一步:确认工程条件用 4 个关键条件调整评估顺序,再选择要比较的方案。
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