定制高密度 IC 载板

AT&S · 封装结构与变形补偿

方案用途: 高引脚数处理器及多芯片封装需要在有限面积内分配信号和电源，载板堆叠、互连密度与热机械行为应共同设计。
技术方式: AT&S 以增强芯层、镀铜通孔和多层介质／铜线路增层工艺制造 IC 载板，并采用半加成 SAP 工艺形成高密度互连。
适用范围: 原厂提供定制 IC 载板，覆盖高性能处理器、AI／数据中心及多芯片集成等需求；材料、尺寸、层数和设计规则需按项目确认。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
高互连密度不等于整个封装低翘曲或满足特定寿命。已读页面将玻璃和两微米能力描述为研发方向，不能视作供货已确认的标准产品。
评估准备
BLNKK 建议整理芯片／封装尺寸、接点和布线、信号及电源需求、堆叠与铜分布、材料热机械数据，以及组装热过程和翘曲测量。
向供应商确认
请确认项目设计规则、材料和堆叠选项、制造及供货状态、尺寸／翘曲验收、可靠性资料与仿真协作范围；研发路径还应确认导入时间。
公开依据: 现行英／德产品页说明增层及 SAP 工艺，列出现有五微米线宽，并把两微米结构和玻璃载体描述为研发方向；公开能力不等于每项设计都可直接采购。

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