JSM-IT810 封装截面 SEM／EDS 分析
JEOL · 可靠性验证与失效分析
- 方案用途
- 在已定位的封装接点截面观察形貌与元素分布，为电阻异常的界面对比补充依据。
- 技术方式
- 结合场发射 SEM 成像与 EDS 分析；Neo Action 按设定条件对选定区域自动观察和分析。
- 适用范围
- 已制备的 IC、接合部或材料截面；实际可观察特征取决于制样质量和探测器配置。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界截面制备会改变样品，不属于完整封装的无损检查；EDS 结果不能直接代表接点电阻或接合强度。
评估准备BLNKK 建议准备失效位置、接点结构及电阻测量、目标元素、可用于破坏性制样的样品和制样记录。
向供应商确认请确认截面定位与制备方法、EDS 检测及定量条件、所需探测器，以及自动分析和校准配置。
- 公开依据
- JEOL 2025 年 5 月 30 日演示资料展示经截面研磨制备的 IC 接合部图像和元素分析。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。