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MRSI-S-HVM 多芯粒与光子芯片键合

MRSI Systems · 工艺设备与温度控制

方案用途
评估多芯粒精密放置和键合条件,为初始贴附空洞建立工艺对比。
技术方式
集成取放、视觉对准与 Z 向施力,可按配置选择 DAF、共晶、环氧键合及上下加热。
适用范围
光子集成、晶圆级封装、chip-on-wafer 和 chip-on-interposer;芯粒、载具与工艺模块需要匹配。
限制与待确认事项

以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议,并非原厂保证或必备资料清单。

适用边界

放置精度不代表键合后良率或空洞率;光子组装用途也不等于已配置主动光纤对准。

评估准备

BLNKK 建议准备芯粒和载具、容许对准误差、键合材料及供料、加热/施力/停留条件与空洞分布。

向供应商确认

请确认实际模块、施力和加热配置、材料供给及测试方法,并用试样核对键合后位移、空洞和生产节拍。

公开依据
Mycronic/MRSI 产品页列出多芯粒组装和多种键合方式,并明确区分对准模式与高施力选配。

联系供应商

查看公司联系信息,通过官方渠道咨询此方案。

相关工程问题

以下链接来自已建立的方案关系,可继续查看工程条件和评估准备。

资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案;方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。