Singulator MDS 等离子体切割平台
Plasma-Therm · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 薄晶圆分割需要比较锯切以外的方法时，可评估 Singulator 等离子体切割。重点是切割道、侧壁及后续取芯片流程的兼容性。
- 技术方式
- 利用 ICP 等离子体刻蚀分割芯片，配合终点检测与基板温控。可按流程选择胶带上切割、临时键合载板或先刻蚀后研磨。
- 适用范围
- 面向薄晶圆、先进封装及 MEMS 分割。MDS 系列覆盖不同晶圆尺寸，需按型号及胶带／框架配置确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界刻蚀适配取决于切割道材料、掩膜和工艺配置，不能推定任意金属／介质堆叠均兼容。原厂侧壁及芯片强度描述也不能直接作为零残留或良率保证。
评估准备BLNKK 建议准备晶圆厚度、切割道截面与材料、掩膜及胶带／载板资料。整理侧壁残留、损伤、刻蚀深度和后续取芯片的验收方法。
向供应商确认确认选择 PDOT、PDOC 或 PDBG 的原因，以及所选型号的尺寸和框架支持。核对金属清除、选择比、终点、温控及试片侧壁的测量方法。
- 公开依据
- 官方页面说明 MDS-100／300、ICP、终点和温控；PDBG 页面另说明先刻蚀切割道、再研磨分离芯片的顺序。
补充参考资料
联系供应商
查看公司联系信息，通过官方渠道咨询此方案。
相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。