Singulator MDS 等离子体切割平台
薄晶圆分割需要比较锯切以外的方法时,可评估 Singulator 等离子体切割。重点是切割道、侧壁及后续取芯片流程的兼容性。
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查看联系信息 ↓应用范围: 薄晶圆/芯片分割 · 硅侧壁有机残留/光刻胶 · C4/die attach 晶圆金属层 · TSV 介电衬层
薄晶圆分割需要比较锯切以外的方法时,可评估 Singulator 等离子体切割。重点是切割道、侧壁及后续取芯片流程的兼容性。
深硅刻蚀后的侧壁聚合物或光刻胶残留,需要先确认成分,再评估去除效果及表面兼容性。
封装金属层评估需要比较沉积条件和薄膜状态,为后续凸块或芯片粘接工艺提供依据。
TSV liner 漏电比较需区分介电沉积、孔型与实际电性背景。
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