VERSALINE HDRF 侧壁聚合物／光刻胶去除
Plasma-Therm · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 深硅刻蚀后的侧壁聚合物或光刻胶残留，需要先确认成分，再评估去除效果及表面兼容性。
- 技术方式
- VERSALINE HDRF 通过高密度自由基的下游化学处理，实现去胶、表面处理及深硅刻蚀后聚合物去除。
- 适用范围
- HDRF 部分列出 50–200 mm 晶圆及 80–250°C 硬件范围；切割框、胶带和薄芯片用途需另外确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界公开用途不代表能够去除所有残留，也不保证任意封装都无损伤。硬件范围不能替代材料、胶带及实物温度窗口验证。
评估准备BLNKK 建议整理残留成分／位置、侧壁、掩膜、胶带／载具和热预算，并保留清洗前后的表面化学及残留对照。
向供应商确认请确认适用化学、温度／时间、载具和材料兼容性，并讨论氧化、残留及后续黏接或强度的验收方法。
- 公开依据
- 官方 VERSALINE 页明确介绍 HDRF 机制、去除用途与配置，区别于其他刻蚀／沉积模块。
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相关工程问题
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