KOBUS F.A.S.T. TSV 氧化硅衬层沉积
Plasma-Therm · 封装工艺与工程验证
- 方案用途
- TSV liner 漏电比较需区分介电沉积、孔型与实际电性背景。
- 技术方式
- KOBUS 的 F.A.S.T. 以分离供气、时间控制及等离子体脉冲／气体重叠进行沉积。
- 适用范围
- 官方明列 SiO₂ TSV liner 用途；需按孔深／宽、晶圆与热预算评估工艺。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界原厂指出并非所有用途都适合；较厚保形膜描述不等于所有孔型均达 ALD 保形程度，也未证明本 TSV 无针孔或通过漏电／击穿验证。
评估准备BLNKK 建议整理 TSV 深宽比、表面与清洗历史、目标膜厚／热预算，以及测量拓扑、低电流背景与未击穿对照。
向供应商确认请确认前驱物与设备配置、孔内膜厚分布、污染与覆盖评估，以及代表性 TSV 的绝缘、漏电与击穿测试。
- 公开依据
- 产品与工艺页相互链接，说明较厚保形膜用途及 2.5D／3D TSV 绝缘层案例。
补充参考资料
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。