SPTS Omega Rapier XE TSV 背面露铜刻蚀

KLA · 工艺设备与温度控制

方案用途: TSV 背面露出高度不均时，区分薄化与硅蚀刻各阶段对形貌的贡献。
技术方式: 利用 Rapier XE 背面整面硅蚀刻露出填铜 TSV，配合配方可调均匀性及需确认的终点控制。
适用范围: TSV 晶圆背面硅去除；需要确认载板支撑、剩余硅和停止层，以及目标露出高度。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
露出硅蚀刻不等于铜蚀刻，也不保证最终键合面的共面性；不能混用其他 Omega 或沉积模块能力。
评估准备
BLNKK 建议准备薄化前后及蚀刻前后高度图、晶圆边缘资料、TSV 叠层、剩余硅与载板条件。
向供应商确认
请确认终点检测、均匀性调整、停止层和载板兼容性，并用实际叠层试样检查露出高度及后续平坦化需求。
公开依据: KLA 2022 年 4 月 19 日工艺概要第 2 页将 Rapier XE 列为 via-reveal 硅蚀刻模块。

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