CIRCL-AP 晶圆全表面封装检测与 2D／3D 测量
减薄、键合和 RDL／TSV 工艺异常可能分布在晶圆正面、背面及边缘，需要同时跟踪表面缺陷与凸点、互连的尺寸偏差。
KLA
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- 先进封装检测、基板与面板测量
应用范围: WLCSP／FOWLP／TSV／2.5D／3D · TSV／3D IC · 成品 BGA／CSP／WLP · TSV／UBM／RDL 金属层 · TSV 介电衬层及封装介电膜
目录中的方案 · 5
SPTS Omega Rapier XE TSV 背面露铜刻蚀
TSV 背面露出高度不均时，区分薄化与硅蚀刻各阶段对形貌的贡献。
ICOS T3／T7 BGA 焊球共面度检查
成品 BGA／CSP 的焊球高度及共面度检查，可为组装前接点几何筛检提供依据。
SPTS Sigma TSV 阻挡／种子层 PVD
TSV 铜填孔前，需要对照阻挡／种子层的侧壁和底部覆盖。
SPTS Osprey TSV 介电衬层 PECVD
TSV 衬层评估，需要同时对照膜质、应力和热预算。
工程问题中的候选方案
以下候选方案已收录于工程问题流程，可继续查看条件、来源和比较内容。
- 先进封装检查与测量方案 · 混合键合后局部空洞 →
- SPTS Omega Rapier XE TSV 背面露铜刻蚀 · TSV 露铜高度与背面共面性 →
- ICOS T3／T7 BGA 焊球共面度检查 · 封装焊球共面性与初始接触 →
- SPTS Sigma TSV 阻挡／种子层 PVD · TSV 填铜缝隙与空洞 →
- SPTS Osprey TSV 介电衬层 PECVD · TSV 绝缘衬层漏电定位 →
- Zeta 接合前高度测量评估 · 微凸点高度不均与共面性 →
- CIRCL-AP 晶圆全表面封装检测与 2D／3D 测量 · 微凸点高度不均与共面性 →
- 外缘表面轮廓测量评估 · 底部填充胶外缘胶角与禁胶区干涉 →
- 桥接对照的来料凸点几何评估 · 倒装芯片回流焊接点桥连 →
公开来源
联系信息
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中国大陆 · 原厂办事机构
KLA — Shanghai Office, Zhangjiang Hi-Tech Park
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台湾 · 原厂办事机构
KLA — Zhubei TYHT P9 Office
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美国 · 总部
KLA Corporation — Corporate Headquarters, Milpitas
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