深度分布与目标取样
条件待确认先补前段时点、多孔与正常孔形貌。
待确认：空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？；TSV 深度、孔形／密度与多位置 seam／空洞分布是否可对照？工程条件
确认条件，准备下一步。
针对「TSV 填铜缝隙与空洞」，补充会改变评估顺序的信息，并检查每个候选的依据与限制。
条件可动态调整顺序未知条件不会被自动判定为成立所有选择只保留在目前浏览器
工程条件
用5个关键条件，看看评估顺序如何改变。
以硅中深孔铜体的沿深度分布，分开 seed／wetting 与 bath／flow 对照；后段 reveal 或接合界面另保留。 未知维持待确认；「可评估」只表示方法输入齐备，不表示已诊断或通过资格。
已确认0 / 5项0条路线可先评估
孔内形貌
成膜与电镀
所有路径的条件判断
即时变化
目前评估顺序
Seed 覆盖与 wetting 对照
条件待确认先补深孔覆盖与入槽前配对资料。
待确认：空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？；TSV 深度、孔形／密度与多位置 seam／空洞分布是否可对照？；barrier／seed 沿孔深度的连续性与沉积履历是否可追溯？；入槽前清洁／wetting、等待及气泡排除是否有同孔形的对照？电镀传质与填孔窗口对照
条件待确认先补同孔形 bath 分析与设备历史。
待确认：空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？；TSV 深度、孔形／密度与多位置 seam／空洞分布是否可对照？；bath／添加剂分析、电位／电流与 flow 历史是否同孔形可比？候选方案
条件改变后的目前判断
TSV 深度形貌取样评估ASE先补前段时点、多孔与正常孔形貌。
条件待确认Spherolyte Cu TSV AF 填孔评估MKS / Atotech先补同孔形 bath 分析与设备历史。
条件待确认Seed／wetting 与传质共同审查BLNKK 工程审查需求（服务方待确认）先补深孔覆盖与入槽前配对资料。
条件待确认Ultra C SAPS TSV／via 兆声清洗ACM Research先补深孔覆盖与入槽前配对资料。
条件待确认Endura Ventura TSV 阻挡层／种子层沉积Applied Materials先补深孔覆盖与入槽前配对资料。
条件待确认Syndion TSV 深硅刻蚀Lam Research先补深孔覆盖与入槽前配对资料。
条件待确认SPTS Sigma TSV 阻挡／种子层 PVDKLA先补深孔覆盖与入槽前配对资料。
条件待确认Xradia Versa 无损三维 X 射线封装显微分析ZEISS先补前段时点、多孔与正常孔形貌。
条件待确认SABRE 3D 先进封装电化学沉积平台Lam Research先补同孔形 bath 分析与设备历史。
条件待确认此区只依你确认的条件调整评估顺序；公开资料不能证明方案适用于实际样品。
有新的测试结果？更新判断
完成一轮对照后，按实际观察选择下一步。
结果只改变下一轮调查顺序；不会修改条件答案、证明根因或授予方案资格。
当前判断与下一步
依据自述条件和公开资料整理；可先评估不代表已验证样品适用性或根因。排列顺序不代表最佳方案。
已知条件 · 0
重要的未知条件 · 5
- 空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？界面裂纹、reveal 残留或后续接合空洞要另留邻题；只凭总电阻不能定位填铜 seam。
- TSV 深度、孔形／密度与多位置 seam／空洞分布是否可对照？须有正常孔、晶圆位置及制样方向；单一截面可能错过中心 seam 或引入假影。
- barrier／seed 沿孔深度的连续性与沉积履历是否可追溯？表面 sheet resistance 不能代表深孔侧壁／底部覆盖；需要对位形貌与可检出限制。
- 入槽前清洁／wetting、等待及气泡排除是否有同孔形的对照？控制材料、孔形与等待；不从空洞外观直接宣布 trapped gas 或指定添加剂。
- bath／添加剂分析、电位／电流与 flow 历史是否同孔形可比？需实际分析与设备 trace，不只名义 recipe；没有跨孔形通用浓度或 current 波形。
值得评估的路径
深度分布与目标取样
先补前段时点、多孔与正常孔形貌。
- 空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？
- TSV 深度、孔形／密度与多位置 seam／空洞分布是否可对照？
哪些条件会改变这条路径
- 空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？支持先评估: 已定位铜体且有前段时点 · 目前不适合: 只有后段界面／reveal 异常
- TSV 深度、孔形／密度与多位置 seam／空洞分布是否可对照？支持先评估: 深度／位置与正常孔可比 · 目前不适合: 只有单截面或未记深度
Seed 覆盖与 wetting 对照
先补深孔覆盖与入槽前配对资料。
- 空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？
- TSV 深度、孔形／密度与多位置 seam／空洞分布是否可对照？
- barrier／seed 沿孔深度的连续性与沉积履历是否可追溯？
- 入槽前清洁／wetting、等待及气泡排除是否有同孔形的对照？
哪些条件会改变这条路径
- 空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？支持先评估: 已定位铜体且有前段时点 · 目前不适合: 只有后段界面／reveal 异常
- TSV 深度、孔形／密度与多位置 seam／空洞分布是否可对照？支持先评估: 深度／位置与正常孔可比 · 目前不适合: 只有单截面或未记深度
- barrier／seed 沿孔深度的连续性与沉积履历是否可追溯？支持先评估: 孔深度覆盖与沉积 trace 可比 · 目前不适合: 只有表面 seed 资料
- 入槽前清洁／wetting、等待及气泡排除是否有同孔形的对照？支持先评估: 前处理／wetting 有配对控制 · 目前不适合: 缺前处理或 wetting 对照
接下来先做
尚未提供结果；先补充关键条件，再安排评估。
- 空洞是否已定位在硅中 TSV 铜体，且有 reveal／接合前的观察时点？
准备这些资料
- 前段正常／异常 TSV；孔深度／密度／晶圆坐标；制样与可破坏范围
- 深度 seam／空洞与正常孔；孔内 seed／wetting 控制；同孔形 bath／flow 对照
讨论时先问
- seam／空洞是否在 reveal 前的 TSV 铜体内？
- 孔底／侧壁 seed 和 wetting 哪些区域有实测？
公开参考来源
ASE · Failure Analysis Lab ↗公开服务清单不保证微细 pad／TSV／残膜尺度检出或化学鉴别；取样与承接另确认。
KLA / SPTS · SPTS Etch and Deposition Processes for Advanced Packaging ↗2022 年制造商设备能力；没有本孔深度均匀性、liner 寿命或材料相容性的样品验证。
带走目前判断
下载评估准备摘要
把目前问题摘要、条件回答、评估顺序、已选方案、前提与来源整理成可编辑的 Markdown 文件。
0 / 5 项条件已确认0个已选方案
只在浏览器中建立文件，不会上传内容。
下载摘要或寻求协助，都不需要先选两个方案。
选填项目与试验版本0个项目 ·0个版本留在此浏览器
持续试验纪录
把条件、结果与假设保存成可追踪版本。
项目仅保存在当前浏览器。保存内容包括项目名称、你输入的假设和修订说明，以及结构化判断；搜索原文、问题摘要和附件不会自动保存或上传。
开启项目工作区 →可在工作区管理状态、版本与使用纪录。
先选择或建立项目项目会把多次试验节点串成版本历史。
版本保留当时的条件、结果、假设与已选方案；后续修改不会覆盖旧版。
查看候选、完整来源与限制
相关方案
9个候选方案
已选0 / 3个方案可从下方任一方案加入比较；最多同时比较 3 个方案。
至少选择 2 个方案01
TSV 深度形貌取样评估公开方法／能力BLNKK 公开资料整理 · 参与与样品适用性待确认
TSV 深度形貌取样评估
ASE
目标 FIB／截面能力可按代表性孔位与深度安排。
依据：ASE：Failure Analysis Lab查看适用前提、排除条件和方案库关联
方案库关联方案库记录待建立
目前仅有经过核查的公开流程信息，尚未关联到 BLNKK 方案库中的具体产品记录。
- 前段正常／异常 TSV
- 孔深度／密度／晶圆坐标
- 制样与可破坏范围
- 单截面无空洞当全孔合格
- 从导通值直接定位 seam
上述判断依据的原始来源ASE：Failure Analysis Lab ↗
02
Spherolyte Cu TSV AF 填孔评估公开方法／能力BLNKK 公开资料整理 · 参与与样品适用性待确认
Spherolyte Cu TSV AF 填孔评估
MKS / Atotech
公开 TSV 电解液可列为受控 bath／flow 对照的候选。
依据：MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement；NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon ViasMKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement ↗NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias ↗
查看适用前提、排除条件和方案库关联
方案库关联方案库记录待建立
目前仅有经过核查的公开流程信息，尚未关联到 BLNKK 方案库中的具体产品记录。
- 实际 TSV 孔形与深度图
- 浴液分析和电性／flow trace
- 同孔形正常／异常对照
- 封装基板微孔 recipe 搬到 TSV
- 产品宣称当样品无空洞
03
Seed／wetting 与传质共同审查编辑研究／承接待确认BLNKK 公开资料整理 · 参与与样品适用性待确认
Seed／wetting 与传质共同审查
BLNKK 工程审查需求（服务方待确认）
两段控制均齐备才比较沿孔深度缺陷对不同变量的反应。
依据：KLA / SPTS：SPTS Etch and Deposition Processes for Advanced Packaging；NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias；MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcementKLA / SPTS：SPTS Etch and Deposition Processes for Advanced Packaging ↗NIST authors / Journal of The Electrochemical Society：Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon Vias ↗MKS / Atotech：MKS Atotech SEDEX 2026 announcement ↗
查看适用前提、排除条件和方案库关联
方案库关联方案库记录待建立
目前仅有经过核查的公开流程信息，尚未关联到 BLNKK 方案库中的具体产品记录。
- 深度 seam／空洞与正常孔
- 孔内 seed／wetting 控制
- 同孔形 bath／flow 对照
- 已知 bath 直接排除 seed
- 看 seam 就指定添加剂浓度
04
配套分析与测量公开产品；项目配置及供货待确认BLNKK 公开资料整理 · 适用性待确认
Ultra C SAPS TSV／via 兆声清洗
ACM Research
TSV 或 via 沉积前存在颗粒和残留时，可比较清洗条件及结构耐受性，准备后续界面评估。
依据：官方正文说明声能机制、具名清洗用途及不同 SAPS 机型／选配，未提供本样品的损伤放行结果。查看适用前提、排除条件和方案库关联
- 原厂列出 via 蚀刻后、阻挡金属沉积前和高深宽比 TSV 清洗；需核对可进入湿法流程的晶圆及叠层。
- 适用边界 声能分布控制不保证任何图形都无损伤，也不能仅凭颗粒去除证明填孔或绝缘合格。不同机型的声能及清洗选配需分别确认。 评估准备 BLNKK 建议整理孔形、残留、暴露金属、药液及现有声能条件，对照清洗前后残留、腐蚀、粗糙度和图形损伤。 向供应商确认 确认适合本晶圆的机型、声能／角度和药液窗口、选配配置及可用样品试验，核对清洗与损伤判定标准。
上述判断依据的原始来源ACM Research：Ultra C SAPS TSV／via 兆声清洗 ↗
05
直接候选方案公开产品；项目配置及供货待确认BLNKK 公开资料整理 · 适用性待确认
Endura Ventura TSV 阻挡层／种子层沉积
Applied Materials
比较 TSV 填铜前的阻挡层与铜种子层覆盖，评估深孔金属化的连续性。
依据：Applied Materials 产品页说明 TSV 金属化、可选阻挡材料与 Endura 上的种子层整合。查看适用前提、排除条件和方案库关联
- 原厂面向高深宽比 TSV 和 2.5D 中介层；需确认孔形、介电衬层及后续电镀工艺。
- 适用边界 连续种子层有利于后续填铜，但设备宣传不保证本 TSV 没有缝隙、空洞或可靠性缺陷。沉积也不能替代介电衬层和电镀的独立验证。 评估准备 BLNKK 建议整理孔形、衬层状态、目标膜厚、热预算、氧化及等待时间，以及深度截面和接触电阻资料。 向供应商确认 确认阻挡材料与设备配置、孔壁／孔底覆盖条件、前处理及电镀衔接，并讨论膜厚连续性和填铜后验证。
06
评估流程的一部分公开产品；项目配置及供货待确认BLNKK 公开资料整理 · 适用性待确认
Syndion TSV 深硅刻蚀
Lam Research
TSV 孔深、侧壁形貌和 scallop，会影响后续衬层、种子层及填铜工艺的评估。
依据：官方产品页说明 RAP 工艺及 scallop 尺寸与刻蚀速率的权衡，未给出通用孔深或速率窗口。查看适用前提、排除条件和方案库关联
方案库关联工作流程组成
Lam ResearchSyndion TSV 深硅刻蚀查看方案库详情 →- 原厂列出 HBM 及先进封装 TSV；实际孔形、掩膜及堆叠材料能力需按 C／F／G 系列配置确认。
- 适用边界 减小 scallop 可能降低速率，具体取舍取决于工艺。孔形控制不能直接证明衬层完整、种子层连续或填铜可靠性。 评估准备 BLNKK 建议整理孔径／深度、掩膜与堆叠材料、晶圆厚度／支撑，以及轮廓、scallop 和均匀性目标。 向供应商确认 请确认适用配置、选择比、终点、速率／scallop 平衡及后清洗，并讨论成孔测量和后续衬层／填孔试验。
上述判断依据的原始来源Lam Research：Syndion TSV 深硅刻蚀 ↗
07
配套分析与测量公开产品；项目配置及供货待确认BLNKK 公开资料整理 · 适用性待确认
SPTS Sigma TSV 阻挡／种子层 PVD
KLA
TSV 铜填孔前，需要对照阻挡／种子层的侧壁和底部覆盖。
依据：当前 Sigma 段落与具名目录均列出 TSV 金属沉积；目录明确标示 2022 年 4 月版本。查看适用前提、排除条件和方案库关联
方案库关联支援检查方法
KLASPTS Sigma TSV 阻挡／种子层 PVD查看方案库详情 →- 官方列出 TSV barrier／seed 及 UBM／RDL；实际孔形、材料和源／腔体配置需确认。
- 适用边界 家族用途不保证每套配置的深孔覆盖，也不能保证后续电镀无接缝／空洞。需用实际孔形和膜层验证。 评估准备 BLNKK 建议整理孔形、阻挡／种子层材料、热预算及前处理，对照侧壁／底部截面和后续填孔结果。 向供应商确认 请确认源／腔体、材料和孔形窗口、除气／预清洗、覆盖判定及试片验证方法。
上述判断依据的原始来源KLA：SPTS Sigma TSV 阻挡／种子层 PVD ↗
08
配套分析与测量商用分析平台BLNKK 公开资料整理 · 适用性待确认
Xradia Versa 无损三维 X 射线封装显微分析
ZEISS
非破坏 CT 可先调查 TSV 填铜形貌，再安排切片；细缝能否被辨识需以实际尺寸与材料确认。
依据：2021 年电子应用手册展示 TSV 空洞、凸块裂纹与焊接异常；现行产品页另说明多尺度观察及重建工具。查看适用前提、排除条件和方案库关联
方案库关联支援检查方法
ZEISSXradia Versa 无损三维 X 射线封装显微分析查看方案库详情 →- 适用于电子封装的结构检查、工艺开发与失效分析，可衔接 FIB／SEM 等局部分析。
- TSV 尺寸与铜、衬层堆叠
- 代表性细缝的对比及解析试验
- 对应切片位置与座标
- 适用边界 缺陷可辨识性应按尺寸、材料与扫描设置验证，体素尺寸不等于实际分辨率；重建与测量模块也需按配置确认。 评估准备 BLNKK 建议准备样品尺寸、材料堆叠、目标 TSV／缺陷大小及疑似位置，并提供对照样品与后续切片计划。 向供应商确认 请确认代表性样品的缺陷对比度、扫描时间、伪影处理与坐标交付方式，以及所需重建／测量模块。
- 低于解析度或对比不足的细缝不适用
- CT 不能单独判定种子层或镀液原因
上述判断依据的原始来源ZEISS：Xradia Versa 无损三维 X 射线封装显微分析 ↗
09
直接候选方案面向量产的商用电镀平台BLNKK 公开资料整理 · 适用性待确认
SABRE 3D 先进封装电化学沉积平台
Lam Research
具名 TSV 电镀填充平台可比较传质与电镀窗口；须先确认种子层连续性及预润湿。
依据：官方产品页面列出 TSV、RDL 和凸点等用途及均匀性目标；2026 年 7 月文章说明高深宽比填孔。这些是厂商能力说明，未提供用户孔形和材料的无空洞验证结果。查看适用前提、排除条件和方案库关联
方案库关联同一方案库记录
Lam ResearchSABRE 3D 先进封装电化学沉积平台查看方案库详情 →- 覆盖 TSV、RDL、铜柱、UBM 和凸点等晶圆级封装用途，实际金属与配置需要按工艺选择。
- TSV 深宽、形貌及种子层
- 镀液、添加剂、电流与前处理
- 全晶圆填充图、切片及条件对照
- 适用边界 厂商的无空洞填孔说明不是对所有孔形和材料的保证；均匀电镀也不能排除种子层缺陷或保证低封装翘曲。 评估准备 BLNKK 建议准备 TSV 孔形与种子层数据、预润湿条件、电镀配方和电流条件，以及截面与全晶圆填孔分布。 向供应商确认 请确认对应孔形的填孔窗口、种子层与润湿要求、缺陷判定方法及电镀后处理配置。
- 不相容的几何或化学配置需先排除
- 电镀设备能力不能排除既有种子层缺陷
上述判断依据的原始来源Lam Research：SABRE 3D 先进封装电化学沉积平台 ↗
仍缺少的证据与适用条件
- 尚无本 TSV 的无空洞填孔资格、seed 覆盖率或通用 bath／flow 配方。
- 尚无供应商参与确认、样品验证或真实专业回覆；公开能力不能代表承接意愿。
- 本地方法尚未刊登为可证实相同关系的 canonical solution。
参考资料
10条厂家或机构资料
展开查核来源与限制
参考资料
10条厂家或机构资料
01
制造商产品资料Failure Analysis LabASE · 查核日期 2026-10-04
↗02列电性定位、非破坏分析及目标截面／FIB、SEM、EDX、XPS 分析能力。
限制：公开服务清单不保证微细 pad／TSV／残膜尺度检出或化学鉴别；取样与承接另确认。制造商产品资料SPTS Etch and Deposition Processes for Advanced PackagingKLA / SPTS · 查核日期 2026-10-04
↗03列高深宽比 TSV barrier／seed PVD 覆盖及低温 PECVD liner 能力。
限制：2022 年制造商设备能力；没有本孔深度均匀性、liner 寿命或材料相容性的样品验证。标准／机构资料Effect of Chloride Concentration on Copper Deposition in Through Silicon ViasNIST authors / Journal of The Electrochemical Society · 查核日期 2026-10-04
↗04特定 TSV 镀铜研究讨论抑制／活化深度与添加剂、传质和沉积动力学的关系。
限制：2019 研究背景；只支持分离深度形貌与 bath／flow 对照，不移植浓度、电位或旋转条件。制造商产品资料MKS Atotech SEDEX 2026 announcementMKS / Atotech · 查核日期 2026-10-04
↗05官方列 Spherolyte Cu TSV AF 为 TSV 铜填孔候选电解液。
限制：2026 展会产品宣告，不是本孔无空洞的制造证据；浴液与设备相容性须制造商确认。制造商产品资料Ultra C SAPS TSV／via 兆声清洗ACM Research · 查核日期 2026-10-06
↗06官方正文说明声能机制、具名清洗用途及不同 SAPS 机型／选配，未提供本样品的损伤放行结果。
限制：适用边界 声能分布控制不保证任何图形都无损伤，也不能仅凭颗粒去除证明填孔或绝缘合格。不同机型的声能及清洗选配需分别确认。 评估准备 BLNKK 建议整理孔形、残留、暴露金属、药液及现有声能条件，对照清洗前后残留、腐蚀、粗糙度和图形损伤。 向供应商确认 确认适合本晶圆的机型、声能／角度和药液窗口、选配配置及可用样品试验，核对清洗与损伤判定标准。制造商产品资料Endura Ventura TSV 阻挡层／种子层沉积Applied Materials · 查核日期 2026-10-06
↗07Applied Materials 产品页说明 TSV 金属化、可选阻挡材料与 Endura 上的种子层整合。
限制：适用边界 连续种子层有利于后续填铜，但设备宣传不保证本 TSV 没有缝隙、空洞或可靠性缺陷。沉积也不能替代介电衬层和电镀的独立验证。 评估准备 BLNKK 建议整理孔形、衬层状态、目标膜厚、热预算、氧化及等待时间，以及深度截面和接触电阻资料。 向供应商确认 确认阻挡材料与设备配置、孔壁／孔底覆盖条件、前处理及电镀衔接，并讨论膜厚连续性和填铜后验证。制造商产品资料Syndion TSV 深硅刻蚀Lam Research · 查核日期 2026-10-06
↗08官方产品页说明 RAP 工艺及 scallop 尺寸与刻蚀速率的权衡，未给出通用孔深或速率窗口。
限制：适用边界 减小 scallop 可能降低速率，具体取舍取决于工艺。孔形控制不能直接证明衬层完整、种子层连续或填铜可靠性。 评估准备 BLNKK 建议整理孔径／深度、掩膜与堆叠材料、晶圆厚度／支撑，以及轮廓、scallop 和均匀性目标。 向供应商确认 请确认适用配置、选择比、终点、速率／scallop 平衡及后清洗，并讨论成孔测量和后续衬层／填孔试验。制造商产品资料SPTS Sigma TSV 阻挡／种子层 PVDKLA · 查核日期 2026-10-06
↗09当前 Sigma 段落与具名目录均列出 TSV 金属沉积；目录明确标示 2022 年 4 月版本。
限制：适用边界 家族用途不保证每套配置的深孔覆盖，也不能保证后续电镀无接缝／空洞。需用实际孔形和膜层验证。 评估准备 BLNKK 建议整理孔形、阻挡／种子层材料、热预算及前处理，对照侧壁／底部截面和后续填孔结果。 向供应商确认 请确认源／腔体、材料和孔形窗口、除气／预清洗、覆盖判定及试片验证方法。制造商产品资料Xradia Versa 无损三维 X 射线封装显微分析ZEISS · 查核日期 2026-10-06
↗102021 年电子应用手册展示 TSV 空洞、凸块裂纹与焊接异常；现行产品页另说明多尺度观察及重建工具。
限制：适用边界 缺陷可辨识性应按尺寸、材料与扫描设置验证，体素尺寸不等于实际分辨率；重建与测量模块也需按配置确认。 评估准备 BLNKK 建议准备样品尺寸、材料堆叠、目标 TSV／缺陷大小及疑似位置，并提供对照样品与后续切片计划。 向供应商确认 请确认代表性样品的缺陷对比度、扫描时间、伪影处理与坐标交付方式，以及所需重建／测量模块。制造商产品资料SABRE 3D 先进封装电化学沉积平台Lam Research · 查核日期 2026-10-06
↗官方产品页面列出 TSV、RDL 和凸点等用途及均匀性目标；2026 年 7 月文章说明高深宽比填孔。这些是厂商能力说明，未提供用户孔形和材料的无空洞验证结果。
限制：适用边界 厂商的无空洞填孔说明不是对所有孔形和材料的保证；均匀电镀也不能排除种子层缺陷或保证低封装翘曲。 评估准备 BLNKK 建议准备 TSV 孔形与种子层数据、预润湿条件、电镀配方和电流条件，以及截面与全晶圆填孔分布。 向供应商确认 请确认对应孔形的填孔窗口、种子层与润湿要求、缺陷判定方法及电镀后处理配置。评估前确认
开始评估前要问的问题
展开评估清单
评估前确认
开始评估前要问的问题
- seam／空洞是否在 reveal 前的 TSV 铜体内？
- 孔底／侧壁 seed 和 wetting 哪些区域有实测？
- 浴液分析、电性与 flow 是否能对位同孔形缺陷？
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- seam／空洞是否在 reveal 前的 TSV 铜体内？
- 孔底／侧壁 seed 和 wetting 哪些区域有实测？