SPTS Sigma TSV 阻挡／种子层 PVD
KLA · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- TSV 铜填孔前，需要对照阻挡／种子层的侧壁和底部覆盖。
- 技术方式
- Sigma 通过物理气相沉积形成金属膜；原厂 TSV 覆盖描述涉及 Advanced Hi-Fill 离子化 PVD 源。
- 适用范围
- 官方列出 TSV barrier／seed 及 UBM／RDL；实际孔形、材料和源／腔体配置需确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界家族用途不保证每套配置的深孔覆盖，也不能保证后续电镀无接缝／空洞。需用实际孔形和膜层验证。
评估准备BLNKK 建议整理孔形、阻挡／种子层材料、热预算及前处理，对照侧壁／底部截面和后续填孔结果。
向供应商确认请确认源／腔体、材料和孔形窗口、除气／预清洗、覆盖判定及试片验证方法。
- 公开依据
- 当前 Sigma 段落与具名目录均列出 TSV 金属沉积；目录明确标示 2022 年 4 月版本。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。