Syndion TSV 深硅刻蚀
Lam Research · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- TSV 孔深、侧壁形貌和 scallop，会影响后续衬层、种子层及填铜工艺的评估。
- 技术方式
- Syndion 通过深硅等离子体刻蚀，快速交替刻蚀与侧壁保护步骤，控制深度、轮廓和晶圆内均匀性。
- 适用范围
- 原厂列出 HBM 及先进封装 TSV；实际孔形、掩膜及堆叠材料能力需按 C／F／G 系列配置确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界减小 scallop 可能降低速率，具体取舍取决于工艺。孔形控制不能直接证明衬层完整、种子层连续或填铜可靠性。
评估准备BLNKK 建议整理孔径／深度、掩膜与堆叠材料、晶圆厚度／支撑，以及轮廓、scallop 和均匀性目标。
向供应商确认请确认适用配置、选择比、终点、速率／scallop 平衡及后清洗，并讨论成孔测量和后续衬层／填孔试验。
- 公开依据
- 官方产品页说明 RAP 工艺及 scallop 尺寸与刻蚀速率的权衡，未给出通用孔深或速率窗口。
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。