SABRE 3D 先进封装电化学沉积平台
针对 TSV 填孔与封装互连电镀，评估空洞、膜厚均匀性及裸片内共面性等工艺问题。
Lam Research
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- 沉积、刻蚀、清洗与先进封装工艺设备
应用范围: TSV／RDL／铜柱／微凸点／HDFO · HBM／中介层 TSV 成孔 · 晶圆键合边缘工艺 · TSV 绝缘内衬工艺
目录中的方案 · 4
Syndion TSV 深硅刻蚀
TSV 孔深、侧壁形貌和 scallop，会影响后续衬层、种子层及填铜工艺的评估。
Coronus 晶圆边缘残留及保护
接合异常若有晶圆边缘污染线索，需要比较边缘残留及保护条件。
Striker TSV 共形绝缘内衬
TSV 漏电工艺评估需比较衬里的深度覆盖和介电特性，避免仅凭名义厚度判断。
工程问题中的候选方案
以下候选方案已收录于工程问题流程，可继续查看条件、来源和比较内容。
公开来源
联系信息
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中国大陆 · 原厂办事机构
Lam Research — Shanghai Office (CHN-16)
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台湾 · 原厂办事机构
Lam Research — Hsinchu Office (TWN-26)
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美国 · 总部 · 业务咨询
Lam Research Corporation — Fremont Headquarters / Business and Sales
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