Striker TSV 共形绝缘内衬
Lam Research · 封装工艺与工程验证
- 方案用途
- TSV 漏电工艺评估需比较衬里的深度覆盖和介电特性，避免仅凭名义厚度判断。
- 技术方式
- Striker 通过逐层反应的 ALD 沉积共形介电薄膜，按应用配置工艺、材料及硬件。
- 适用范围
- 官方将 ALD 与下一代 TSV 氧化物衬里联系起来；实际几何、暴露材料和热预算需结合配置确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界共形沉积不保证无缺陷或满足漏电限值；侧壁／底部厚度、材料界面和后续工艺仍需独立检查。
评估准备BLNKK 建议准备 TSV 几何与材料、热历史、目标衬里厚度、深度截面和未击穿电学对照。
向供应商确认请确认适用机型与膜材、深度覆盖和缺陷测量、热预算及后续工艺相容性，以及可提供的样品验证。
- 公开依据
- 产品页说明共形衬里用途；2025 年 HBM 技术解说提供 TSV 衬里与 Striker 的应用背景。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。