SABRE 3D 先进封装电化学沉积平台
Lam Research · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 针对 TSV 填孔与封装互连电镀，评估空洞、膜厚均匀性及裸片内共面性等工艺问题。
- 技术方式
- 采用模块化电化学沉积平台配置电镀与前后处理单元，结合 Electrofill 工艺形成铜及其他互连金属。
- 适用范围
- 覆盖 TSV、RDL、铜柱、UBM 和凸点等晶圆级封装用途，实际金属与配置需要按工艺选择。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界厂商的无空洞填孔说明不是对所有孔形和材料的保证；均匀电镀也不能排除种子层缺陷或保证低封装翘曲。
评估准备BLNKK 建议准备 TSV 孔形与种子层数据、预润湿条件、电镀配方和电流条件，以及截面与全晶圆填孔分布。
向供应商确认请确认对应孔形的填孔窗口、种子层与润湿要求、缺陷判定方法及电镀后处理配置。
- 公开依据
- 官方产品页面列出 TSV、RDL 和凸点等用途及均匀性目标；2026 年 7 月文章说明高深宽比填孔。这些是厂商能力说明，未提供用户孔形和材料的无空洞验证结果。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。