Simcenter Micred T3STER 瞬态热阻测量
Siemens Digital Industries Software · 翘曲、形貌与应力测量
- 方案用途
- 循环测试后热阻上升时，需要在一致的测量条件下比较散热路径，辅助判断变化可能来自哪些区段。
- 技术方式
- T3STER 通过电学温度传感获取加热或冷却瞬态，再分析热阻抗与结构函数，用于热路径比较和模型校准。
- 适用范围
- 适用于能够建立电学温度校准与测量接点的功率器件及多芯片封装；各芯片能否单独观测，取决于实际接线和热路径。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界T3STER 的独立测量配置不等于功率循环设备。结构函数不能单独证明特定分层；复杂并联热路径和 HBM 各层温度仍需模型及其他测量佐证。
评估准备BLNKK 建议整理可用测量接点、温度校准方法、加热功率与切换流程、冷却边界及循环前后记录，确保两次测量条件一致。
向供应商确认确认器件电学传感是否可行、所需测量配置、时间采样与校准流程，以及多芯片热路径的解读方法。若需集成功率循环，另行确认系统范围。
- 公开依据
- Siemens 2018 年结构函数白皮书说明了界面比较与模型校准方法；2019 年 IGBT 案例显示，传感端子和功率计算方式会影响热阻及结构函数的解读。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
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资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。