EVG40 D2W 键合后 overlay 测量
EV Group · 翘曲、形貌与应力测量
- 方案用途
- 键合后的 die-to-wafer 套刻误差需要建立位置分布，才能比较偏移和工艺反馈。EVG40 D2W 提供 overlay 测量。
- 技术方式
- 通过光学和图像处理测量对准标记，支持双焦点、红外及并列标记配置，并可输出套刻模型参数。
- 适用范围
- 面向异质集成和先进封装的键合后 D2W 结构。标记布局、层结构及红外可达性需要用实际样品确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界标记可见才能得到有效 overlay 结果，不能一概假设埋藏标记可测。套刻合格不代表 Cu 导通、键合强度或无空洞；各项规格也不一定同时适用。
评估准备BLNKK 建议准备标记设计、die map、层结构、键合前后位置数据及工艺历程，规划重复性、测量覆盖率与其他接点证据的对照。
向供应商确认确认样品的光学可达性、所需双焦点／IR 配置及测量条件，讨论精度、节拍、模型参数和数据导出。另确认反馈如何接入现有键合设备。
- 公开依据
- 官网和完整产品单页明确说明键合后测量及模型反馈。原厂设计支持全 die 检测，但实际覆盖率／速度仍受样品和配置影响。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。