薄晶圆临时键合与低应力解键合
薄晶圆和重组晶圆在减薄、背面加工及搬运时需要机械支撑，以控制脆弱基板的翘曲和破片风险。
EV Group
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- 晶圆键合、光刻、临时键合与解键合
应用范围: 薄晶圆／FoWLP／3D 集成 · 3D IC／存储堆叠／BSI CIS／混合键合 · chiplet／3D IC／异质集成 · Die-to-wafer 键合对准 · Fan-out／重布线曝光
目录中的方案 · 5
GEMINI FB XT 300 mm 熔合／混合晶圆键合
3D IC 和存储器堆叠需要控制晶圆表面清洁、活化及对准，使熔合或混合键合的界面与互连质量满足后续工艺需求。
EVG 320 D2W 混合键合前清洗与表面活化
芯粒对晶圆混合键合前，颗粒、表面化学状态及清洗后的等待时间都可能影响键合，需要将芯粒前处理与后续取放流程一起评估。
EVG40 D2W 键合后 overlay 测量
键合后的 die-to-wafer 套刻误差需要建立位置分布，才能比较偏移和工艺反馈。EVG40 D2W 提供 overlay 测量。
LITHOSCALE 芯片位移补偿曝光
Fan-out 芯片移位后，需要使后续 RDL 曝光图形匹配实际位置，并检查对准结果。
工程问题中的候选方案
以下候选方案已收录于工程问题流程，可继续查看条件、来源和比较内容。
- 混合键合工艺设备与整合方案 · 混合键合后局部空洞 →
- LITHOSCALE 芯片位移补偿曝光 · Fan-out／面板塑封后芯粒位移与 RDL 对准失败 →
- 薄晶圆临时键合与低应力解键合 · 超薄晶圆背磨、搬运或解键合后崩边与开裂 →
- EVG 接合后位置测量评估 · 混合键合焊盘错位与电性开路 →
- EVG40 D2W 键合后 overlay 测量 · 混合键合焊盘错位与电性开路 →
- EVG40 D2W 键合后 overlay 测量 · 混合键合焊盘错位与电性开路 →
- GEMINI FB XT 300 mm 熔合／混合晶圆键合 · 混合键合焊盘错位与电性开路 →
- EVG 清洁／活化流程对照评估 · 混合键合前表面接合条件确认 →
- EVG 320 D2W 混合键合前清洗与表面活化 · 混合键合前表面接合条件确认 →
- EVG 解键合／支撑清洗整合评估 · 临时键合解键合残留与清洗兼容性 →
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EV Group Inc. — North America Sales
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EV Group Taiwan Ltd. — Technical Support
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