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LITHOSCALE 芯片位移补偿曝光

EV Group · 工艺设备与温度控制

方案用途
Fan-out 芯片移位后,需要使后续 RDL 曝光图形匹配实际位置,并检查对准结果。
技术方式
LITHOSCALE 通过数字图形进行无掩模曝光。芯片级补偿结合外部位置测量、版图处理和设备对准,生成对应的曝光图形。
适用范围
具有可用对准标记和芯片位置数据的晶圆级重布线工艺;需验证光刻胶、基材及图形转换流程。
限制与待确认事项

以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议,并非原厂保证或必备资料清单。

适用边界

补偿不会阻止塑封移位,也不能修复既有开路。白皮书中的位移补偿不覆盖热影响;追溯标记功能也不等于对准误差已消除。

评估准备

BLNKK 建议整理芯片位移图、标记质量、RDL 版图和修正规则,以及光刻胶、曝光及显影条件,安排曝光后的对准测量。

向供应商确认

确认外部测量与版图数据接口、支持的补偿方法、标记和基材条件,以及本光刻胶工艺的可用对准范围。请说明热变形如何另行处理。

公开依据
EVG 产品页与 2024 年 1 月白皮书说明了对准和畸变补偿,明确指出芯片级补偿及重新布线依赖外部测量数据。

补充参考资料

联系供应商

查看公司联系信息,通过官方渠道咨询此方案。

相关工程问题

以下链接来自已建立的方案关系,可继续查看工程条件和评估准备。

资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案;方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。