薄晶圆临时键合与低应力解键合
EV Group · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 薄晶圆和重组晶圆在减薄、背面加工及搬运时需要机械支撑，以控制脆弱基板的翘曲和破片风险。
- 技术方式
- 将器件晶圆临时键合至载体，完成减薄和背面工艺后，再根据材料选择热滑移、UV／IR 激光或低温解键合，并配合清洗及晶圆转移。
- 适用范围
- 适用于 2.5D／3D IC、FoWLP、功率器件和化合物半导体等薄晶圆流程。UV 与 IR 路线对载体和释放层的条件不同，应结合工艺热预算选择。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界不同解键合路线不能任意用于相同载体或键合材料，也不保证整个工艺没有翘曲或破片。实际条件和能力应按设备配置、材料及后段需求验证。
评估准备建议准备晶圆尺寸、目标厚度、表面形貌／翘曲、载体和键合材料、后续工艺温度及化学环境，并说明清洗和转移的验收条件。
向供应商确认确认所选路线的材料兼容性、解键合和分离条件、残留物清洗及薄晶圆输出方式。讨论使用代表性晶圆评估完整流程的破片、翘曲、TTV 和节拍。
- 公开依据
- 官方页面和 2025 手册说明临时键合的支撑用途、解键合路线及清洗／转移模块；UV 路线采用透明载体，IR LayerRelease 使用硅载体及无机释放层。
补充参考资料
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相关工程问题
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