IoN 10Q 等离子清洁及去残胶

PVA TePla · 工艺设备与温度控制

方案用途: 评估光刻胶残留与表面污染的等离子体清洁方式，为后续表面处理选择工艺。
技术方式: 通过等离子体进行光刻胶灰化、去残胶和表面活化，并通过配方编辑器设置工艺步骤。
适用范围: 厂商列出的用途包括光刻胶灰化、descum、表面清洁与活化；具体材料及残留物是否适用，需要样品试验。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
光刻胶去残胶能力不代表已证实能够清除所有等离子体切割侧壁残留。公开页面未提供该用途的材料选择性或样品验证。
评估准备
BLNKK 建议整理残留物分析、处理前后图像、材料堆叠和样品外形，并明确清洁程度及材料损伤的判定方法。
向供应商确认
确认实际残留物可用的气体与配方、侧壁处理的可达性、材料兼容性，以及试片测试和清洁后检查方式。
公开依据: IoN 10Q 官方产品页介绍了上述用途、台式设计、配方步骤控制和工艺监控功能。

联系供应商

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