DME8061 研磨后等离子应力消除
DISCO · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 薄晶圆研磨后的损伤层可能影响芯片强度，需要比较后处理与搬运条件。
- 技术方式
- DME8061 通过非接触等离子体去除研磨损伤层；切换气体后可接续形成吸杂层的 gettering 工艺。
- 适用范围
- 原厂列出 Φ300 mm、减薄及 DBG／SDBG 应用，可按工艺配置连接 MUSUBI 设备。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界公开资料未证明可修复任意深裂纹或消除所有脱载失效。实际去除量、材料兼容性及强度改善需验证；原厂明确要求客户准备气体处理系统。
评估准备BLNKK 建议整理材料、剩余厚度、研磨／切割历程、损伤与强度对照，以及搬运和支撑方式。
向供应商确认请确认标准规格、气体／吸杂配方、去除量、热负荷、设备连接及气体处理配置，再安排代表性晶圆试加工。
- 公开依据
- 具名产品页介绍损伤层去除、gettering 和研磨／刻蚀／贴膜连接流程，并列出 SF6、Ar 气体。
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。