TAIKO 外周支撑式超薄晶圆研磨
晶圆减薄后刚性降低,翘曲与搬运风险可能影响后续工艺。TAIKO 保留外周支撑环,帮助处理薄晶圆。
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应用范围: 超薄晶圆/功率器件/TSV · 薄晶圆/DBG/SDBG · 可采用 SD 的 200 mm 内晶圆 · 薄晶圆切割与 DBG
晶圆减薄后刚性降低,翘曲与搬运风险可能影响后续工艺。TAIKO 保留外周支撑环,帮助处理薄晶圆。
薄晶圆研磨后的损伤层可能影响芯片强度,需要比较后处理与搬运条件。
比较内部改性与表面激光烧蚀的分离方式,评估芯片边缘和损伤差异。
薄晶圆 DBG 评估,需要对照半切槽与后续研磨分离造成的损伤。
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