TAIKO 外周支撑式超薄晶圆研磨

DISCO Corporation · 工艺设备与温度控制

方案用途: 晶圆减薄后刚性降低，翘曲与搬运风险可能影响后续工艺。TAIKO 保留外周支撑环，帮助处理薄晶圆。
技术方式: 背面研磨时保留约 3 mm 的晶圆外周，仅减薄内部区域，利用晶圆自身的环形结构支撑。后续流程还需安排去环与切割。
适用范围: 官方列出 200／300 mm 加工设备，以及减薄后通孔、凸块与金属化等加工用途。2022 年简报还展示硅功率器件的 TAIKO 流程。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
它主要提供减薄晶圆的结构支撑，不代表封装级热翘曲已解决。外周环需与加工顺序匹配；整体流程仍可能使用保护膜或其他支撑。
评估准备
BLNKK 建议准备晶圆材料与尺寸、目标厚度、边缘器件布局、已有翘曲及后段工艺流程。用代表性晶圆评估搬运与去环。
向供应商确认
确认机型、目标厚度、外周环条件、研磨与应力释放方式，以及贴膜、搬运、去环和切割的兼容性。另商定加工质量与测量验收方法。
公开依据: 原厂工艺页面说明降低晶圆翘曲与提高强度的原理；2022 年 12 月简报展示贴膜、背面加工和去环流程。未提供适用于所有晶圆的翘曲保证值。

补充参考资料

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