PSL2300C 铜混合键合 CMP 研磨液

FUJIFILM Electronic Materials · 材料与界面控制

方案用途: 混合键合表面需要控制铜凹陷和介电层轮廓，才能比较 CMP 条件对表面形貌的影响。
技术方式: PSL2300C 通过化学机械抛光，调整阻挡金属与介电层去除速率及选择性，并提供可调铜凹陷控制。
适用范围: 原厂明确列出铜混合键合抛光用途；需根据实际膜层、图形密度、抛光垫和设备条件确认。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
抛光液不是测量设备，也不是已键合空洞的修复方案。抛光表现不能单独证明表面洁净、活化或后续键合合格。
评估准备
BLNKK 建议整理膜层、凹陷与形貌目标、图形密度、抛光垫及现有工艺配方，并保留抛光前后测量和缺陷分布。
向供应商确认
确认适合本膜层的配方、去除速率和选择性窗口、铜腐蚀与缺陷控制数据，以及与后清洗和键合流程的集成条件。
公开依据: 具名产品页说明了铜凹陷、表面平滑度和介电层轮廓控制；2025 年 9 月新闻稿补充铜／氧化物混合键合面的 CMP 背景，未点名该牌号。

补充参考资料

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