PlanarClean 铜表面 CMP 后清洁药水
Entegris · 材料与界面控制
- 方案用途
- 阻挡层 CMP 后出现残留或铜表面异常时，可比较清洗条件对残留、腐蚀和表面状态的影响。
- 技术方式
- PlanarClean 水性配方配合刷洗、漂洗和干燥，去除残留并控制铜腐蚀；原厂提供常温工艺参考。
- 适用范围
- 用于铜 post-CMP 清洗；原厂列出铜与多种介电材料兼容性，实际膜层及残留物仍需核对。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界公开资料未证明任意混合键合叠层都可放行。清洗效果不能替代粗糙度、化学状态或活化测量，也不保证能够去除所有残留。
评估准备BLNKK 建议整理残留鉴定、膜层、稀释、刷洗／漂洗／干燥和等待条件，保留清洗前后表面及腐蚀对比数据。
向供应商确认索取当前安全及使用／评估文件，确认兼容性、适合本样品的配方、药液输送条件和可用评估数据；不要直接套用公开参考流程。
- 公开依据
- 当前产品页和 2018 年的两页数据表说明用途、材料兼容性和清洗参考，并指出可能需要针对应用调整工艺配方。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。