PlanarClean 铜表面 CMP 后清洁药水
阻挡层 CMP 后出现残留或铜表面异常时，可比较清洗条件对残留、腐蚀和表面状态的影响。
Entegris
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- 为阻挡层 CMP 后的有机残留及铜表面状态准备清洁对照。
其他名称: Entegris Inc.
应用范围: 铜互连／阻挡层 CMP 后表面 · WLP 铜开口／互连清洗 · RDL 光刻胶／PI 供液 · 键合前铜表面平坦化比较 · 键合前 CMP 垫材／形貌比较
目录中的方案 · 5
ST-250 铜互连蚀刻后残留清洗液
RDL 开口接触电阻异常时，需要区分蚀刻残留、金属损失和种子层覆盖，再比较清洗条件。
Impact HV 高黏度光化学液过滤器
比较 RDL 涂覆及显影缺陷时，需要掌握供液颗粒、微气泡和过滤配置，才能核对供液条件的影响。
Entegris 铜 CMP 抛光液
比较键合前铜表面平坦化条件时，需要检查铜凹陷、周围介电层形貌及工艺后缺陷。
Entegris NexPlanar CMP 抛光垫
比较键合前 CMP 形貌时，抛光垫的接触特性及耗材状态也是影响表面的工艺变量。
工程问题中的候选方案
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中国大陆 · 原厂办事机构
Entegris — China Regional Customer Service Center / Shanghai
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台湾 · 原厂办事机构
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美国 · 原厂办事机构
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