THB-111N RDL 铜电镀负性光刻胶
JSR · 材料参数与界面设计
- 方案用途
- 比较 RDL 铜电镀的图案开口与去胶质量，辅助排查短路相关工艺因素。
- 技术方式
- 负性 THB 光刻胶的丙烯酸酯基团曝光后交联，再通过 TMAH 显影形成电镀开口。
- 适用范围
- THB-111N 用于 WLCSP／SiP 的 RDL 铜电镀；型号表列膜厚 5–15 µm。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界该光刻胶不是永久介电层，公开资料也不保证特定线宽无短路。不能将系列的 5–90 µm 范围或其他牌号的凸块用途套用于 THB-111N。
评估准备BLNKK 建议整理膜厚、线宽／间距、曝光与显影条件、开口残胶图像、种子层、镀液及去胶结果。
向供应商确认确认可用工艺窗口、镀液与基材兼容性、开口轮廓和去胶条件，并讨论如何区分光刻胶残留与其他短路原因。
- 公开依据
- JSR Micro 产品页明确列出 THB-111N 的铜布线用途，并区分其他 THB 牌号的膜厚与凸块应用。
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。