Reflexion LK 铜／介电层 CMP 平坦化
Applied Materials · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- TSV 平坦化及混合键合表面的铜／介电层相对高度，需要结合抛光后污染和键合结果评估。
- 技术方式
- Reflexion LK 采用三站连续 CMP，配合终点及轮廓控制，并集成抛光后清洗和蒸气干燥。
- 适用范围
- 300 mm 晶圆平台；Applied／Besi 2023 年报告将其列入 TSV 平坦化、reveal 抛光和混合键合铜 CMP 流程。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界报告中的高度及良率是具体案例结果，并非通用设备规格。CMP 表面控制不能替代清洗、键合及电性能验证。
评估准备BLNKK 建议整理膜层、图形密度、来料形貌、dishing 目标及现用抛光液／抛光垫，并保留抛光后形貌、颗粒和键合对照。
向供应商确认请确认材料工艺、终点／轮廓控制配置、清洗兼容性及测量方法，再共同确定样品试验和键合面验收条件。
- 公开依据
- 原厂产品页介绍抛光、清洗与控制能力；IMAPS 报告展示键合面 CMP 和阻挡层高度协同优化的案例。
补充参考资料
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。