Solstice Wet Etch UBM／种子金属隔离
ClassOne Technology · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 比较 RDL 电镀与去胶后的残留金属去除，评估图形间电气隔离。
- 技术方式
- Solstice Wet Etch 通过 flood-flow 供液、精密转速和终点检测，控制 UBM 或图形金属刻蚀。
- 适用范围
- 原厂列出 WLP 和 flip chip；需按金属堆叠、线路尺寸与选择性评估配方。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界公开示例不能保证所有堆叠零侧蚀，也不意味着所有短路均可通过湿法刻蚀修复。残膜去除和线路尺寸保留需同时验证。
评估准备BLNKK 建议整理种子／阻挡层、金属厚度、线宽间距、残留位置、可用药液，以及刻蚀前后形貌与电性。
向供应商确认确认药液选择性、终点方法与侧蚀窗口，并讨论残留判定、尺寸损失和清洗后电气隔离验证。
- 公开依据
- ClassOne 产品页说明镀后隔离用途，并列出均匀性、重复性、侧蚀与尺寸损失等考量。
联系供应商
查看公司联系信息，通过官方渠道咨询此方案。
相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。