TersOnus RDL 种子金属湿法刻蚀
Yield Engineering Systems · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 比较电镀后种子金属去除的工艺选项，评估 RDL 线路隔离。
- 技术方式
- 按金属配置湿法刻蚀，结合机内药液管理及可选的批量供液设备。
- 适用范围
- 原厂列出晶圆／面板处理、Cu／Ti／TiW／Ru 和种子金属刻蚀；实际膜层与尺寸需确认。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界公开资料未提供本 RDL 叠层的选择比或侧蚀量。去除种子层不能直接证明镀层桥接等其他短路原因已排除。
评估准备BLNKK 建议整理金属／介电叠层、膜厚、线宽／间距和残留分布，并定义线路损失及电性隔离验收条件。
向供应商确认确认药液与金属相容性、刻蚀均匀性、侧蚀／选择比、晶圆或面板搬运，以及清洗后残留和电性验证方法。
- 公开依据
- TersOnus 官方产品页的 Metal Etch 部分列出金属种类及 seed metal etch。
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。