SU5000 切割侧壁与表面电子显微观察
Hitachi High-Tech · 工程测量与特性分析
- 方案用途
- 获取切割侧壁残留与损伤的细节形貌，用于工艺前后及异常区域比较。
- 技术方式
- SU5000 通过 Schottky 场发射电子束成像，提供高真空／可变压力模式及按样品选择的电子信号。
- 适用范围
- 适用于可暴露、固定并接受电子束观察的侧壁或制备截面；材料、几何与充电影响观察条件。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界不能直接穿透不透明封装观察内部界面；形貌或成分对比不等于残留物化学鉴定。充电、镀膜及电子束影响需纳入图像判读。
评估准备BLNKK 建议整理目标位置、表面及截面获取方式、材料／导电性、已有图像，以及允许的镀膜和电子束条件。
向供应商确认确认固定与接地、真空及探测器选择、低损伤成像条件，并讨论是否需另行化学分析和对照样品。
- 公开依据
- Hitachi 产品页说明真空模式、成像引导及材料／半导体案例，包括形貌和背散射对比。
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。