MicroProf AP 光刻胶厚度与表面轮廓比较

Camtek · 工程测量与特性分析

方案用途: RDL 图形异常评估需要比较光刻胶厚度、均匀性与表面轮廓，了解后续工艺前的形貌条件。
技术方式: MicroProf AP 通过可配置的多传感器自动测量晶圆；干涉式膜厚与共焦色散传感可分别获取厚度及表面信息。
适用范围: 可评估传感器和测量配方经过验证的光刻胶涂层及图形，需核对材料光学性质和实际结构。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
测量能力取决于传感器、光学模型及图形。光刻胶轮廓不能单独证明电气短路，也不能确定电镀或种子层残留的根因。
评估准备
BLNKK 建议整理光刻胶材料、厚度与图形尺寸、晶圆取样位置、工艺历程，以及可供对照的截面或电气结果。
向供应商确认
确认传感器、测量配方、光学参数和校准方法，并讨论图形边缘、厚度变化及自动化取样的重复性。
公开依据: Camtek 产品页列出光刻胶相关工艺；官方白皮书说明 MicroProf 多传感器计量及 AP 自动化。

补充参考资料

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