Asahi Kasei SUNFORT TA 精细图形干膜光刻胶
Asahi Kasei · 材料参数与界面设计
- 方案用途
- 比较封装基板与中介层的精细光刻胶图形形成方式，梳理可能影响线路隔离的工艺条件。
- 技术方式
- 用干膜光刻胶形成图形，支持双面层压，以及 stepper 或 LDI 曝光。
- 适用范围
- 可用于评估采用干膜工艺的先进封装基板、中介层及玻璃芯基板；需核对实际图形和叠层。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界光刻胶图形能力不等于成品线路良率，也不能修复已形成的金属短路。
评估准备BLNKK 建议准备目标线宽／线距、叠层、表面状态、膜厚需求及现有曝光／显影流程。
向供应商确认确认适用牌号、层压与曝光／显影窗口，以及后续电镀、去胶和材料兼容性。
- 公开依据
- TA 官方页面介绍精细线路、双面加工和曝光兼容性，未公布完整牌号工艺窗口。
联系供应商
查看公司联系信息，通过官方渠道咨询此方案。
相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。