TSMC SoIC 三维芯片堆叠平台

TSMC · 封装结构与变形补偿

方案用途: TSV 邻近器件评估需要结合实际三维堆叠结构与供应商设计规则进行审查。
技术方式: SoIC 通过晶圆级接合整合堆叠芯片；其中 SoIC-X 晶圆对晶圆架构采用薄型 TSV 和细间距接合。
适用范围: 可作为三维堆叠设计及制造流程候选；需确认所选架构、芯片尺寸、节点及供应商兼容性。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
公开介绍未给出可直接套用的 TSV 禁入区或应力合格值。不同堆叠方式的尺寸和节点条件不能相互套用。
评估准备
BLNKK 建议整理芯片与 TSV 布局、邻近器件、材料及热历程、所选堆叠方式，以及可获取的设计规则。
向供应商确认
确认 PDK／TSV 及器件布局规则、兼容性和供应商可提供的分析数据，讨论热机械验证与设计批准流程。
公开依据: TSMC 介绍 SoIC 的设计制造支持，并说明不同堆叠方式及 WoW 薄型 TSV。

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