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Samsung Foundry 2.5D Cube-S 硅中介层平台

Samsung Foundry · 封装结构与变形补偿

方案用途
HBM 热耦合评估需要比较逻辑芯片与存储器配置,并建立实际封装叠层。
技术方式
2.5D Cube-S 在硅中介层上水平整合逻辑芯片与 HBM,形成高密度芯片间连接。
适用范围
可作为逻辑/HBM 封装架构候选和热模型输入;需获取实际配置、材料及冷却条件。
限制与待确认事项

以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议,并非原厂保证或必备资料清单。

适用边界

平台介绍不等于特定配置的分层温度或热耦合已经验证。定量预测仍需要实际材料、接合、功率和冷却数据。

评估准备

BLNKK 建议整理芯片/HBM 配置与尺寸、层厚及热参数、功率分布、接合界面、散热边界和参考温度。

向供应商确认

确认可用中介层及 HBM 配置、模型所需叠层数据、分析与实测支持,并讨论适用验证条件。

公开依据
Samsung 介绍 Cube-S 的硅中介层和 CoW 整合,并将其与其他中介层及垂直堆叠方案区分。

联系供应商

查看公司联系信息,通过官方渠道咨询此方案。

相关工程问题

以下链接来自已建立的方案关系,可继续查看工程条件和评估准备。

资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案;方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。