MA12 Gen3 封装光刻胶曝光及对准
SUSS MicroTec · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- 比较凸点形成前的光刻胶图形曝光与对准条件，支持后续高度差异评估。
- 技术方式
- 通过光罩对准、剂量控制及实时间隙调平进行曝光，按配置选择接触或近接模式。
- 适用范围
- 可评估不超过 300 mm 晶圆的封装光刻胶图形；胶材、光学和承载工具需匹配。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界曝光能力不能证明电镀凸点高度一致；特殊光学及工具配置也不代表全部标配。
评估准备BLNKK 建议准备光刻胶与厚度、光罩／开口、曝光及显影条件、晶圆形貌和后续电镀高度资料。
向供应商确认确认曝光／对准模式、光学和承载配置、可处理的厚度／翘曲，以及图形和下游结果验证。
- 公开依据
- MA12 Gen3 官方页面介绍曝光／对准、剂量与间隙控制，以及翘曲晶圆工具。
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。