XBS300 高精度临时键合平台
在晶圆减薄及背面加工前，评估临时载板键合与测量流程，帮助比较薄晶圆的支撑及后续释放条件。
SUSS MicroTec
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- 晶圆级测量、对准、临时键合与解键合工艺分析
应用范围: 薄晶圆／背面工艺／2.5D／3D · 200 mm 级 RDL 光刻胶图形 · 晶圆封装光刻胶图形 · 贴膜薄晶圆／临时载体 · 200 mm 内永久 W2W 接合
目录中的方案 · 5
ACS200 Gen3 RDL 光刻胶涂布及显影
评估 RDL 光刻胶膜厚、开口和显影条件的工艺选项。
MA12 Gen3 封装光刻胶曝光及对准
比较凸点形成前的光刻胶图形曝光与对准条件，支持后续高度差异评估。
XBC300 Gen2 载体解键合及残胶清洗
分步骤比较薄晶圆解键合与残胶清洗，判断破片和残留的形成阶段。
SB8 Gen2 永久晶圆接合工艺开发
比较永久晶圆键合的受力、温度和接触推进，评估界面形成条件。
工程问题中的候选方案
以下候选方案已收录于工程问题流程，可继续查看条件、来源和比较内容。
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中国大陆 · 原厂办事机构
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台湾 · 原厂办事机构
SUSS MicroTec (Taiwan) Co., Ltd. — Zhubei Office
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美国 · 原厂办事机构
SUSS MicroTec Inc. — Corona / North America Customer Routing
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德国 · 总部
SUSS MicroTec SE — Garching Headquarters
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