kSA BandiT 晶圆工艺温度对照

k-Space Associates · 工程测量与特性分析

方案用途: TSV 周边应力评估的热历程输入，需要实际晶圆温度作为参考。
技术方式: kSA BandiT 利用半导体吸收边位置推算温度；无法测到吸收边时，可按配置改用黑体辐射光谱拟合。
适用范围: 原厂用途为薄膜沉积和热处理中的晶圆／薄膜测温；材料、光学路径及模式需验证。
限制与待确认事项: 以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界
重掺杂等情况可能需要另一测温模式，不能套用单一材料范围。晶圆测温不等于封装结温映射或直接预测 TSV 应力／keep-out。
评估准备
BLNKK 建议整理材料、掺杂、膜叠层、窗口／光路及热处理时程，规划校准和模型所需的同步温度对照。
向供应商确认
请确认适用模式、材料校准、光学可接近性、测量范围及不确定度，以及多晶圆／扫描选配。
公开依据: 官方页面说明吸收边、黑体模式和按工艺腔体配置的光学测量。

联系供应商

查看公司联系信息，通过官方渠道咨询此方案。