Nagase ChemteX N-CE1 铜种子层蚀刻液
Nagase ChemteX · 工艺设备与温度控制
- 方案用途
- RDL 线间短路评估，需要区分未去除的铜种子层与较厚的电镀桥接。
- 技术方式
- N-CE1 是不含过氧化氢的铜蚀刻液，用于电镀工艺中的铜种子层去除。
- 适用范围
- 可评估 Cu 再布线种子层蚀刻；膜厚、线宽、Ti 阻挡层及槽液条件需按叠层验证。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界公开速率／选择性不保证任意叠层兼容、零线宽损失或零侧蚀。种子层去除也不意味着能修复厚电镀桥接。
评估准备BLNKK 建议整理种子层厚度、线形、阻挡层和处理／水洗条件，对照残留、线宽损失、侧蚀与电性。
向供应商确认请确认实际叠层的工艺窗口、槽液负载和寿命、阻挡层影响及水洗要求，并安排线形／电性试片评估。
- 公开依据
- 官方具名段落列出 Cu 种子层和再布线用途，并提供指定条件的基本性能。
联系供应商
查看公司联系信息，通过官方渠道咨询此方案。
相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。