TOK ST-120 厚膜去胶液
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. · 材料参数与界面设计
- 方案用途
- 比较接触电阻与光刻胶残留的关系时，应先确认残留可接触，且属于去胶流程能够处理的范围。
- 技术方式
- ST-120 用化学液去除厚膜光刻胶并允许后续水洗；原厂强调低金属损伤。
- 适用范围
- 用于可接触的正性／负性厚膜光刻胶去除比较；具体树脂、热历史和金属／介电叠层需要兼容性验证。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界不能打开埋藏界面或修复已形成的接触；低金属损伤不代表零腐蚀，示例条件也不能套用所有光刻胶与叠层。
评估准备BLNKK 建议整理光刻胶牌号和热历史、残留位置、金属／介电材料、现有浸泡水洗流程及残留与接触电阻基准。
向供应商确认确认适用光刻胶、药液使用和换液条件、温度／时间及水洗流程，并约定残留、金属损伤和电性对照的判定方法。
- 公开依据
- 官方 ST-120 段落及表格说明去胶和水洗用途，未给出本 RDL 的残留、腐蚀或接触电阻结果。
联系供应商
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。