TOK PMER P-BK 凸点电镀光刻胶
比较凸块高度均匀性时,需要共同核对光刻胶膜厚、开口形貌和电镀条件。
SOLUTION NAVIGATOR查看供应商公开信息,以及目前已收录的技术方案。
查看联系信息 ↓其他名称: TOK · Tokyo Ohka Kogyo · 東京應化工業 · 东京应化工业 · 東京応化工業
应用范围: 凸点形成/光刻胶开口比较 · 激光切割叠层/保护膜比较 · 可接触残留/去胶化学比较 · TSV 上游刻蚀侧壁工艺比较
比较凸块高度均匀性时,需要共同核对光刻胶膜厚、开口形貌和电镀条件。
比较激光加工的表面污染和损伤时,应将保护涂层及移除流程作为工艺变量。
比较接触电阻与光刻胶残留的关系时,应先确认残留可接触,且属于去胶流程能够处理的范围。
在 TSV 衬层漏电研究中比较上游深硅刻蚀掩膜,先确认侧壁形貌和残留,再检查后续介电层覆盖。
以下候选方案已收录于工程问题流程,可继续查看条件、来源和比较内容。
通过以下官方渠道,自行联系供应商。
表单由台湾东应化受理,可选择“半导体材料(后段)”等产品咨询;中国与美国另有地区电话联系人。日本官网的全球产品表单本次无法安全读取,台湾表单不代表全球统一联系人。 官方来源 ↗
中国大陆 · 原厂办事机构
官方来源 ↗查阅日期
台湾 · 原厂办事机构
官方来源 ↗查阅日期
美国 · 原厂办事机构 · 业务咨询
官方来源 ↗查阅日期
联系信息根据原厂公开资料整理;具体产品的负责人和服务范围,请向供应商确认。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案;方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。