TOK PMER P-CY1000 深硅刻蚀光刻胶
Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. · 材料参数与界面设计
- 方案用途
- 在 TSV 衬层漏电研究中比较上游深硅刻蚀掩膜，先确认侧壁形貌和残留，再检查后续介电层覆盖。
- 技术方式
- 使用厚膜正性光刻胶定义深硅刻蚀图形；P-CY1000 的公开特性侧重低温刻蚀时的抗开裂能力。
- 适用范围
- 公开用途涵盖 MEMS／TSV 深硅刻蚀；需结合孔形、掩膜厚度及 Bosch／非 Bosch 工艺确认牌号和条件。
- 限制与待确认事项
以下为 BLNKK 根据公开资料整理的评估建议，并非原厂保证或必备资料清单。
适用边界光刻胶抗裂不能单独证明侧壁平整、衬层连续或漏电合格，也不能修复已有漏电的 TSV。页面示例条件不是全部孔形的工艺窗口。
评估准备BLNKK 建议准备孔径／深度、胶厚及图形、刻蚀化学和温度记录。保留去胶后侧壁／残留图像；已有衬层截面及漏电位置可用于前后对照。
向供应商确认确认掩膜与刻蚀条件、抗裂示例适用范围及去胶方式。再约定侧壁、残留与后续衬层覆盖检查，漏电仍需独立电性验证。
- 公开依据
- TOK 具名产品页说明 P-CY1000 深刻蚀用途与低温抗裂示例，未给出特定 TSV 衬层覆盖或漏电验证结果。
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相关工程问题
以下链接来自已建立的方案关系，可继续查看工程条件和评估准备。
资料由 BLNKK 根据公开来源整理。公司资料不代表已有对应方案；方案适用性仍需结合实际样品和工程条件确认。